一、场效应管的分类及标记
协同点:
① 箭头指向,代表的是衬底与沟道之间的PN结
N沟道:P型衬底,故G/B极箭头指向内
P沟道:N型衬底,故G/B极箭头指向外
不同点:
① JFET与MOSFET:由于MOSFET的G极有效SiO2作为绝缘栅,故没有直连
② 加强型与耗尽型MOSFET:由于耗尽型有原始沟道,故D/B/S三极是连在一同的;加强型没有,则是断开的。
二、输入特性
uGS 为常数时,漏极iD电流为:
三种场效应管的相反点:
①. 可变电阻区:UDS较小时(预夹断前),iD随UDS近似线性变动,变动的斜率受UGS控制,D、S端展现电阻特性,为UGS的压控电阻
②. 恒流区:UGS对iD有很强的控制才能;UGS一定时,随着uDS增大,由于沟道长度调制效应,iD厘革不大(恒流特性)
不同点:
①. 要到达一样的漏极电流iD,不同管子的UGS不一样,跟管子的布局有关
三、转移特性
uDS 为常数时,漏极iD电流为:
特点1:
N沟道的管子,uGS 开启电压从低到高依次为:JFET<耗尽型<加强型
P沟道的管子,uGS 开启电压从低到高依次为:加强型<耗尽型<JFET
特点2:
iD与uGS的平方律成恰比
*不管是输入特性照旧转移特性,N沟道总是与P沟道构成以原点180°对称。
附图:MOSFET布局图
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