雪崩击穿与齐纳击穿的区别

雪崩击穿与齐纳击穿的区别

起首我们必要了解什么是雪崩击穿？什么是齐纳击穿？

1.雪崩击穿

随着反向电压的提高，空间电荷区内电场加强，经过势垒区的载流子取得的能量也随之增长。当反向电压接近击穿电压UB时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇产生碰撞电离，产生新的电子一空穴对。这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新取得能量，碰撞别的的中性原子使之电离，再产生更多的电子一空穴对。这种连锁反响持续下去，使空间电荷区内的载流子数目剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。以是把这种击穿称为雪崩击穿。

雪崩击穿寻常产生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。这是由于掺杂浓度较低的PN结，空间电荷区宽度较宽，产生碰撞电离的时机较多。

2.齐纳击穿

当反向电压增大到一定值时，势垒区内就能创建起很强的电场，它可以直接将束缚在共价键中的价电子拉出来，使势垒区产生多量的电子一空穴对，构成较大的反向电流，产生击穿。

把这种在强电场作用下，使势垒区中原子直接引发的击穿征象称为齐纳击穿。

齐纳击穿寻常产生在掺杂浓度较高的PN结中。这是由于掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只需加不大的反向电压，就能创建起很强的电场，产生齐纳击穿。

3.两者的区别：

PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，寻常两种击穿同时存在，但在电压低于5-6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5-6V时的击穿以雪崩击穿为主。

两者的区别关于稳压管来说，主要是：

电压低于5-6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5-6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。电压在5-6V之间的稳压管，两种击穿水平相近，温度系数最好，这就是为什么很多电路使用5-6V稳压管的缘故。稳压管的原理决定了它的反响速率是不成能很快的速率要求高的场合都用二极管+基准电压。

假如只是要做保护，用TVS稳压管主要用于稳压，经过的电流越小越好，当瞬时电压凌驾电路正常事情电压后，TVS二极管便产生雪崩，提需求瞬时电流一个超低电阻通路，其后果是瞬时电流畅过二极管被引开，避开被保护器件，并且在电压规复正常值之前使被保护回路不休坚持停止电压，当瞬时脉冲完毕今后，TVS二极管主动回复高阻形态，整个回路进入正常电压，TVS管的没效形式主要是短路，但当经过的过电流太大时，也约莫形成TVS管被炸裂而开路。

误区：很多参考书上说，齐纳击穿可规复，雪崩击穿不成规复，这种看法是错误的。

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